การใช้งาน MicroLED สามรายการ
Jun 11, 2018
ปัจจุบัน MicroLED รู้จักสามขั้นตอนและคาดว่าจะใช้เทคโนโลยีการถ่ายโอนฟิล์มที่เร็วที่สุด
กระบวนการเทคโนโลยี MicroLED สามารถแบ่งออกเป็นการเชื่อมแบบ epitaxial welding ระดับชิปและการถ่ายโอนฟิล์มตามวิธีการใช้งานที่แตกต่างกัน:
Chip-bonding (Chip Bonding): LED ถูกตัดเป็นชิป MicroLED ขนาดเล็กและเทคโนโลยี SMT หรือ COB จะใช้เชื่อมต่อชิป MicroLED ขนาดเล็กทีละแผ่นกับพื้นผิวจอแสดงผล
Epitaxial wafer bonding: Inductively Coupled Plasma Ion Etching (ICP) บนชั้นฟิล์มบาง epitaxial ของ LED โดยตรงจาก micro-LED epitaxial โครงสร้างฟิล์มบาง ๆ แล้วเวเฟอร์ LED (รวมทั้ง epitaxial layer และ substrate) เชื่อมต่อโดยตรงกับพื้นผิวของวงจรไดรฟ์และในที่สุดพื้นผิวถูกดึงออกโดยใช้กลไกทางกายภาพหรือทางเคมีทิ้งเฉพาะโครงสร้างฟิล์มบางบนแผ่นวงจรของไดรฟ์เพื่อสร้างองค์ประกอบการแสดงผล
การถ่ายโอนฟิล์มบาง: Micro-level MicroLED โครงสร้างฟิล์มบางที่มีลักษณะเป็นแผ่นโดยการลอกแผ่นพื้นผิว LED เพื่อนำแผ่นฟิล์มบาง ๆ แบบ LED epitaxial ที่มีพื้นผิวชั่วคราวและจากนั้นทำการแกะสลักพลาสมาควบคู่กันไป หรือโดยการใช้พลาสมาอิเล็คตรอนร่วมกับการดูดกลืนแบบอินซูลินเพื่อสร้างแผ่นฟิล์มเคลือบ MicroLED ขนาดไมครอน โครงสร้างโดยการลอกแผ่นพื้นผิว LED จะมีโครงสร้างฟิล์มบาง epitaxial LED ผ่านพื้นผิวชั่วคราว
ภาพ: คุณลักษณะเทคโนโลยีที่แตกต่างกัน microLED คุณสมบัติ
ปัจจุบันการใช้งานหน้าจอขนาดใหญ่แบบ microLED โดย Sony ส่วนใหญ่ใช้วิธีการเชื่อมระดับชิพ ขณะที่แอปเปิ้ลมีการส่งเสริมเทคโนโลยีการถ่ายโอนฟิล์มบางซึ่งเหมาะสำหรับการแสดงผลขนาดเล็กและขนาดกลาง ที่นี่เราแนะนำเฉพาะเทคโนโลยีการถ่ายโอนฟิล์มที่แอปเปิ้ลจะนำมาใช้: การไหลของเทคโนโลยีการถ่ายโอนฟิล์ม MicroLED สามารถอธิบายได้เพียงแค่ 1) เตรียม MicroLED ชิป; 2) การถ่ายโอนชิป MicroLED; 3) ติดตั้งพื้นผิว TFT และไดร์เวอร์ IC เพื่อให้เสร็จสมบูรณ์แพคเกจผลิตภัณฑ์
การเตรียมชิป MicroLED กระบวนการพลิกชิปเป็นแนวโน้ม
กระบวนการเตรียมของชิป MicroLED คล้ายคลึงกับชิพ LED แบบดั้งเดิม ชิป LED สีฟ้า - เขียวถูกนำมาใช้เป็นตัวอย่างเพื่อแนะนำกระบวนการผลิตเท่านั้น: ชิป LED ผลิตโดยการดำเนินการด้านเทคนิคเช่นพื้นผิวรูปแบบ PSS การเติบโตของ LED epitaxial และการประมวลผลชิปบนวัสดุรองพื้นไพลิน ชิป MicroLED มีขนาดเล็กกว่า (ขนาดไม่กี่ไมครอน) ขนาดใหญ่กว่าชิป LED ทั่วไป แต่เทคโนโลยีการแกะสลักที่มีอยู่สามารถจัดการชิประดับไมโครเมตรได้อย่างสมบูรณ์และไม่มีความยุ่งยากในทางเทคนิค ต่อไปนี้เป็นการแนะนำสั้น ๆ เกี่ยวกับการเติบโตของชิป LED แต่ละแบบ:
แผ่นรองพื้น epitaxial wafer ของ Sapphire (สีน้ำเงิน LED LED chip)
ประการแรกวัสดุไพลินเป็นลวดลายบนพื้นผิว PSS จุดประสงค์ของขั้นตอนนี้คือการตระหนักถึงการสะท้อนแสงหลายส่วนในพื้นผิวด้วยการแกะรูปทรงกรวยที่จัดเป็นประจำบนพื้นผิวของไพลินเพื่อให้ได้แสงจากภายนอกของชิป ประสิทธิภาพแสง (N-GaN), ชั้นที่ใช้งานอยู่ (MQWs, ควอนตัมเป็นจำนวนมาก) และชั้นแกลเลียมไนไตรด์ P (P-GaN) เป็นชั้นบัฟเฟอร์ที่ไม่มีการเจือปน (U-GaN) โตขึ้นตามลำดับชั้น PSS )
